Ультрабыстрые диоды
Воронежский завод полупроводниковых приборов – Микрон разрабатывает и производит кристаллы ультрабыстрых диодов (УБД), предназначенные для использования в производстве импульсных источников питания, конверторах, в схемах защиты батарей и др. Кристаллы УБД изготавливаются на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии.
* Все изделия доступны в виде кристаллов на пластинах 100мм и 150мм, а так же в виде дискретных приборов в корпусе.
Минимальная партия заказа корпусированных изделий: от 100 000 штук.
* Все изделия доступны в виде кристаллов на пластинах 100мм и 150мм, а так же в виде дискретных приборов в корпусе.
Минимальная партия заказа корпусированных изделий: от 100 000 штук.
Ультрабыстрые диоды
Основные характеристики:- Широкий диапазон рабочих токов и напряжений: 1А - 150А, 400В – 4500В;
- Низкое прямое падение напряжение;
- Малые значения обратных токов;
- Высокое быстродействие;
- Низкий потенциал рассеивания мощности;
- Электрические характеристики подтверждаются тестированием 100% кристаллов в нормальных условиях (ТА=25ºС) по основным параметрам: VB, IR, IRRM, а также выборочным тестированием кристаллов на каждой пластине по параметру VF при номинальном значении прямого тока IF(AV).
Тип | Краткое описание | U обр. max, В | I пр.ср, А |
U пр. max, В (@ I пр.ср, 25ºC) |
I обр., мкА (@25ºC Uобр = Uобр.max |
t вос.обр., нс, (@1А, 30В, 100А/мкс) |
KD10040UF | 100A, 400V, 220*220mil | 400 | 100 | 1,3 | 50 | 70 |
KD0560UF | 5A, 600V, 68mil | 600 | 5 | 1,5 | 10 | 50 |
KD0860UF | 8A, 600V, 81mil | 600 | 8 | 1,35 | 10 | 70 |
KD1060UF | 10A, 600V, 88mil | 600 | 10 | 1,35 | 10 | 65 |
KD1560UF | 15A, 600V, 104*140mil | 600 | 15 | 1,35 | 10 | 70 |
KD2560UF | 25A, 600V, 124*194mil | 600 | 25 | 1,35 | 10 | 70 |
KD5060UF | 50A, 600V, 205*213mil | 600 | 50 | 1,35 | 20 | 70 |
Мощные ультрабыстрые диоды с мягкой характеристикой обратного восстановления
Тип | Краткое описание | Размер кристалла, мм | U обр. max, В | I пр.ср, А | U пр. max, В (@ I пр.ср, 25ºC) | I обр., мкА (@25ºC Uобр = Uобр.max) | t вос.обр., нс, (@1А, 30В, 200А/мкс) |
KD01120F | 1A, 1200V, 1,62*1,62mil | 1,62*1,62 | 1200 | 1 | 1,7 | 10 | 150 |
KD10120FU | 10A, 1200V, 3,5*3,5mm | 3,5*3,5 | 1200 | 10 | 2,4 | 100 | 50 |
KD15120FU | 15A, 1200V, 3,5*3,5mm | 3,5*3,5 | 1200 | 15 | 2,9 | 30 | 70 |
KD25120F | 25A, 1200V, 5,5*4,5mm | 5,5*4,5 | 1200 | 25 | 2,2 | 100 | 50 |
KD50120F | 50A, 1200V, 8,7*5mm | 8,7*5 | 1200 | 50 | 2,3 | 100 | 70 |
KD60120FU | 60A, 1200V, 8,7*5mm | 8,7*5 | 1200 | 60 | 2,4 | 100 | 100 |
KD100120F | 100A, 1200V, 8,95*7,25mm | 8,95*7,25 | 1200 | 100 | 2,2 | 100 | 90 |
KD150120F | 150A, 1200V, 10,8*9,3mm | 10,8*9,3 | 1200 | 150 | 2,3 | 100 | 120 |
KD50170F | 50A, 1700V, 7,54*7,54mm | 7,54*7,54 | 1700 | 50 | 2,4 | 100 | 100 |
KD100170F | 100A, 1700V, 10,8*8,3 | 10,8*8,3 | 1700 | 100 | 2,4 | 100 | 120 |
KD50180F | 50A, 1800V, 7,54*7,54mm | 7,54*7,54 | 1800 | 50 | 2,4 | 100 | 120 |
KD100180F | 100A, 1800V, 10,8*8,3mm | 10,8*8,3 | 1800 | 100 | 2,4 | 100 | 120 |
KD50250F | 50A, 2500V, 7,54*7,54mm | 7,54*7,54 | 2500 | 50 | 2,45 | 100 | 150 |
KD100250F | 100A, 2500V, 10,8*8,3mm | 10,8*8,3 | 2500 | 100 | 2,45 | 100 | 150 |
KD75330F | 75A, 3300V, 10,8*8,7mm | 10,8*8,7 | 3300 | 75 | 2,6 | 100 | 700 |
KD75450F | 75A, 4500V, 10,8*8,3mm | 10,8*8,3 | 4500 | 75 | 2,6 | 100 | 700 |
* Все изделия доступны в виде кристаллов на пластинах 100мм и 150мм, а так же в виде дискретных приборов в корпусе. Минимальная партия заказа корпусированных изделий: от 100 000 штук.
Обозначения и сокращения:
- VB (Uпроб.) - пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;
- VRRM (Uобр.max.) - повторяющееся пиковое обратное напряжение;
- VR (Uобр.) - постоянное обратное напряжение;
- VF (Uпр.) - постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;
- VESD - напряжение, характеризующее устойчивость диода к воздействию электростатического разряда;
- IR (Iобр.) - ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;
- IF (Iпр.) - прямой ток;
- IF(AV) (Iпр.ср.) - средний прямой ток диода;
- IFSM (Iимп.) - не повторяющийся пиковый ударный прямой ток;
- IRRM – повторяющийся пиковый обратный ток;
- EAS – не повторяющаяся лавинная энергия;
- TJ – максимальная рабочая температура перехода;
- ESD– электростатический разряд;
- ESD HBM - электростатический разряд по модели человеческого тела.
- DC - постоянный (ое) …
- mil – 1/1000 доля дюйма (1mil=25,4мкм).