Продукты

Более 500 типов интегральных схем и дискретных полупроводниковых устройств

Ультрабыстрые диоды

Воронежский завод полупроводниковых приборов – Микрон разрабатывает и производит кристаллы ультрабыстрых диодов (УБД), предназначенные для использования в производстве импульсных источников питания, конверторах, в схемах защиты батарей и др. Кристаллы УБД изготавливаются на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии.

* Все изделия доступны в виде кристаллов на пластинах 100мм и 150мм, а так же в виде дискретных приборов в корпусе.
Минимальная партия заказа корпусированных изделий: от 100 000 штук.

Главная Продукты Дискретные полупроводниковые устройства

Ультрабыстрые диоды

Основные характеристики:

Широкий диапазон рабочих токов и напряжений: 1А - 150А, 400В – 4500В;
Низкое прямое падение напряжение;
Малые значения обратных токов;
Высокое быстродействие;
Низкий потенциал рассеивания мощности;
Электрические характеристики подтверждаются тестированием 100% кристаллов в нормальных условиях (ТА=25ºС) по основным параметрам: VB, IR, IRRM, а также выборочным тестированием кристаллов на каждой пластине по параметру VF при номинальном значении прямого тока IF(AV).

Тип	Краткое описание	U обр. max, В	I пр.ср, А	U пр. max, В (@ I пр.ср, 25ºC)	I обр., мкА (@25ºC Uобр = Uобр.max	t вос.обр., нс, (@1А, 30В, 100А/мкс)
KD10040UF	100A, 400V, 220*220mil	400	100	1,3	50	70
KD0560UF	5A, 600V, 68mil	600	5	1,5	10	50
KD0860UF	8A, 600V, 81mil	600	8	1,35	10	70
KD1060UF	10A, 600V, 88mil	600	10	1,35	10	65
KD1560UF	15A, 600V, 104*140mil	600	15	1,35	10	70
KD2560UF	25A, 600V, 124*194mil	600	25	1,35	10	70
KD5060UF	50A, 600V, 205*213mil	600	50	1,35	20	70

Мощные ультрабыстрые диоды с мягкой характеристикой обратного восстановления

Тип	Краткое описание	Размер кристалла, мм	U обр. max, В	I пр.ср, А	U пр. max, В (@ I пр.ср, 25ºC)	I обр., мкА (@25ºC Uобр = Uобр.max)	t вос.обр., нс, (@1А, 30В, 200А/мкс)
KD01120F	1A, 1200V, 1,62*1,62mil	1,62*1,62	1200	1	1,7	10	150
KD10120FU	10A, 1200V, 3,5*3,5mm	3,5*3,5	1200	10	2,4	100	50
KD15120FU	15A, 1200V, 3,5*3,5mm	3,5*3,5	1200	15	2,9	30	70
KD25120F	25A, 1200V, 5,5*4,5mm	5,5*4,5	1200	25	2,2	100	50
KD50120F	50A, 1200V, 8,7*5mm	8,7*5	1200	50	2,3	100	70
KD60120FU	60A, 1200V, 8,7*5mm	8,7*5	1200	60	2,4	100	100
KD100120F	100A, 1200V, 8,95*7,25mm	8,95*7,25	1200	100	2,2	100	90
KD150120F	150A, 1200V, 10,8*9,3mm	10,8*9,3	1200	150	2,3	100	120
KD50170F	50A, 1700V, 7,54*7,54mm	7,54*7,54	1700	50	2,4	100	100
KD100170F	100A, 1700V, 10,8*8,3	10,8*8,3	1700	100	2,4	100	120
KD50180F	50A, 1800V, 7,54*7,54mm	7,54*7,54	1800	50	2,4	100	120
KD100180F	100A, 1800V, 10,8*8,3mm	10,8*8,3	1800	100	2,4	100	120
KD50250F	50A, 2500V, 7,54*7,54mm	7,54*7,54	2500	50	2,45	100	150
KD100250F	100A, 2500V, 10,8*8,3mm	10,8*8,3	2500	100	2,45	100	150
KD75330F	75A, 3300V, 10,8*8,7mm	10,8*8,7	3300	75	2,6	100	700
KD75450F	75A, 4500V, 10,8*8,3mm	10,8*8,3	4500	75	2,6	100	700

* Все изделия доступны в виде кристаллов на пластинах 100мм и 150мм, а так же в виде дискретных приборов в корпусе. Минимальная партия заказа корпусированных изделий: от 100 000 штук.

Обозначения и сокращения:

VB (Uпроб.) - пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;
VRRM (Uобр.max.) - повторяющееся пиковое обратное напряжение;
VR (Uобр.) - постоянное обратное напряжение;
VF (Uпр.) - постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;
VESD - напряжение, характеризующее устойчивость диода к воздействию электростатического разряда;
IR (Iобр.) - ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;
IF (Iпр.) - прямой ток;
IF(AV) (Iпр.ср.) - средний прямой ток диода;
IFSM (Iимп.) - не повторяющийся пиковый ударный прямой ток;
IRRM – повторяющийся пиковый обратный ток;
EAS – не повторяющаяся лавинная энергия;
TJ – максимальная рабочая температура перехода;
ESD– электростатический разряд;
ESD HBM - электростатический разряд по модели человеческого тела.
DC - постоянный (ое) …
mil – 1/1000 доля дюйма (1mil=25,4мкм).