История

Мировая микроэлектроника зарождалась на «Микроне»


2017

В январе статус продукции российского производства первого уровня получили интегральные микросхемы, разработанные АО «НИИМЭ» и производимые ПАО «Микрон»:
-К5016ХС2 (MIK51AB72D) для паспортно-визовых документов нового поколения;
-К5016ТС01-04Д/Б (MIK51AB144D-04) для различных государственных ID-e документов.
В феврале «Микрон» поставил более 2млн RFID-меток для маркировки продукции в ритейле.
В марте интегральные микросхемы MIK1KMCM, К5016ВГ4Н4 (MIK1312ED) и К5016ХС1Н4 (MIK640D/MIK64PTAS), разработанные АО «НИИМЭ» и производимые ПАО «Микрон» для транспортных приложений, получили статус продукции российского производства первого уровня.
В апреле ПАО «Микрон» заключил партнерское соглашение с Ассоциацией электронных коммуникаций «РАЭК» о сотрудничестве в развитии и популяризации эффективного использования технологий радиочастотной идентификации (RFID).
В мае начат выпуск электронных полисов обязательного медицинского страхования с микросхемой производства ПАО «Микрон» и российским программным обеспечением.
Успешное тестирование прототипов радиочастотных идентификационных (RFID) браслетов, разработанных ПАО «Микрон» для пациентов медицинских учреждений.

2016

С начала 2016 года начата поставка RFID-меток производства ОАО «НИИМЭ и Микрон» для маркировки меховых изделий для ФГУП «Гознак».
В феврале генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», академик РАН Г.Я. Красников получил медаль ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».
В апреле Совет директоров назначил генеральным директором ОАО «НИИМЭ и Микрон» Г.Ш. Хасьянову.
В июле ОАО «НИИМЭ и Микрон» сменил организационно-правовую форму и наименование Общества на ПАО «Микрон».
В июле в рамках программы импортозамещения «Микрон» начал поставку радиационно-стойких интегральных микросхем космического применения в навигационные спутники третьего поколения «Глонасс-К».
Старт эмиссии первых карт «Мир-Maestro®» на базе микропроцессора производства ОАО «НИИМЭ и Микрон».
Интегральная микросхема для отечественной банковской карты НСПК «Мир» К5016ВГ1 (MIK51SC72D), разработанная АО «НИИМЭ» и производимая ПАО «Микрон», получила статус продукции российского производства первого уровня.
Успешные испытания RFID-меток для предприятий и организаций лесной промышленности, спроектированные и произведенные на ПАО «Микрон».
Поставка биометрических паспортов нового поколения для граждан ЛНДР.
Разработан первый образец водительского удостоверения и свидетельства о регистрации транспортного средства нового поколения с микрочипом производства ПАО «Микрон».

2015

Победив в тендере на поставку бесконтактных проездных билетов в ГУП «Мосгортранс» «Микрон» стал основным поставщиком проездных билетов для всей транспортной сети г. Москвы (наземный и подземный транспорт, пригородные электрички). 
В 2015 году "Микрон" разработал банковский чип для Национальной Системы Платежных Карт "МИР" и выпустил первые в России банковские карты с отечественным чипом.
В июне 2015 года Президент РФ В.В. Путин вручил генеральному директору ОАО «НИИМЭ и Микрон», академику РАН Г.Я. Красникову Государственную премию Российской Федерации в области науки и технологий за 2014 год.
Указом президента РФ десять сотрудников предприятия за заслуги по разработке и созданию специальной техники, укрепление обороноспособности страны и многолетнюю добросовестную работу были награждены медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени и орденом Дружбы. Семь сотрудников компании стали лауреатами премии Правительства РФ в области науки и техники.
В сентябре 2015 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» и АО «НИИМЭ» стали резидентами Особой Экономической Зоны «Зеленоград».

Завершив в 2015 году разработку 65-нм процесса, "Микрон" планирует запустить серийное производство микросхем с топологией 65 нм в первой половине 2016 года.

2014

В конце 2014 года ОАО «НИИМЭ и Микрон» выпустил первые отечественные двухъядерные микропроцессоры «Эльбрус-2СМ», разработанные ЗАО «МЦСТ» по технологии 90 нанометров.

2013

С начала 2013 года начата поставка микросхем производства ОАО «НИИМЭ и Микрон» в загранпаспорта нового образца. 
В мае 2013 года ОАО «НИИМЭ и Микрон» начинает процедуру консолидации производственных активов выкупом 12,5% доли РОСНАНО в проектной компании «Ситроникс-Нано».
ОАО «НИИМЭ и Микрон» побеждает в тендере Московского Метрополитена на производство и поставку пластиковых бесконтактных смарт-карт для оплаты проезда «Тройка». 
В декабре 2013 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» завершил разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65 нм.

2012

Запущена линия по производству микрочипов с топологическим уровнем 90 нм. Запуск новой линии позволит нарастить производственную мощность завода в два раза до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год.

В 2012 г. совместно с ФУО «УЭК» разработан отечественный чип для «Универсальной Электронной Карты».

2011

На базе исследовательского центра ОАО «НИИМЭ и Микрон» учреждено открытое акционерное общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», образованное для развития собственных отечественных технологий и уникальных продуктов уровня 180-90нм на заводе «Микрон» и создания новых технологий, в том числе уровня 65-45 нм и менее. Генеральным директором «НИИМЭ» назначен Г.Я. Красников.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» вошло в десятку ведущих инновационных компаний России по версии делового издания Fast Company.

2010

Подписано соглашение о передаче на «Микрон» технологии производства микросхем с нормами 90 нм от компании STMicroelectronics.
ОАО «СИТРОНИКС» выступило генеральным партнером международной конференции «Российский рынок микроэлектроники — перспективы развития» (26 февраля, г. Москва).

2009

ГК «РОСНАНО» и АФК «Система» подписали договор о создании на базе производственной площадки и инфраструктуры ОАО «НИИМЭ и Микрон» производства интегральных схем с проектными нормами 90 нм по технологии компании STMicroelectronics на пластинах 200 мм.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» подтвердило соответствие стандарту системы экологического менеджмента (СЭМ) ISO 14001:2004. Аудит проведен международной компанией Bureau Veritas Certification Rus.

2008

Геннадий Красников, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, избран академиком РАН и вошел в состав Совета руководителей из стран Европы, Ближнего Востока и Африки (EMEA Leadership Council) Глобального Полупроводникового альянса (The Global Semiconductor Alliance, GSA.

«Микрон» первым из российских производителей микроэлектроники сертифицировал производство по стандарту Системы экологического менеджмента ISO 14001.

2007

ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с Ассоциацией менеджеров России провели 1-ю Международную конференцию по микроэлектронике.

«СИТРОНИКС Микроэлектроника» стала членом международной ассоциации EUROSMART.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» вступило в международную полупроводниковую торговую ассоциацию FSA, ныне преобразованную в GSA (Global Semiconductor Association), и открыло производство интегральных схем с топологическим уровнем 0,18 мкм EEPROM.

2006

Подписано соглашение с компанией STMicroelectronics о передаче «ОАО «НИИМЭ и Микрон» технологии производства интегральных схем с топологическим уровнем 0,18 мкм по технологии EEPROM. На «Микроне» начало работать производство чип-модулей для контактных смарт-карт. В ноябре ОАО «НИИМЭ и Микрон» приступило к работе с правилами проектирования микросхем по технологии EEPROM 0,18 мкм для российских дизайн-центров.

В декабре «Микрон» начал освоение полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и начал поставки билетов для Московского Метрополитена.

В рамках бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника» открыло производство SIM-карт для телекоммуникационной отрасли.

2001–2005

Постановлением Правительства РФ за достигнутые успехи ОАО «НИИМЭ и Микрон» присуждена премия Правительства РФ в области качества.

В 2001г. на Первом Московском Международном салоне инноваций и инвестиций «Микрон» награжден двумя золотыми и двумя серебряными медалями за разработку новых технологических маршрутов.

Разработана конструкция, технология изготовления и созданы первые образцы микромеханического волоконно-оптического переключателя.

В 2002г. «Микрон» первым среди промышленных предприятий страны вышел на фондовый рынок. 

В 2002 году ОАО «НИИМЭ и Микрон» вошло в состав ОАО «СИТРОНИКС» (преобразованного из ОАО «Концерн «Научный Центр») как головное предприятие бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектронные решения» (в дальнейшем «СИТРОНИКС Микроэлектроника»).

В 2005г. открыт новый Центр проектирования и цех по сборке компонентов для жидкокристаллических мониторов.

В 2005 году основана компания «Смарт Карты» вошедшая в бизнес-направление «СИТРОНИКС Микроэлектроника».

2000

В 2000г. на базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».

1996 – 1999

Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы серии 572. Освоено более 200 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны. Построена новая чистая комната, начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8 мкм. 

В мае 1997 г. «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав холдинга ОАО «Концерн «Научный Центр», начавшего консолидацию российских предприятий электронной отрасли.

В 1999г. получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000.

1991 – 1995

В 1991 г. «Микрон» возглавил Г.Я. Красников. Несмотря на спад экономической деятельности в стране, предприятие продолжает заниматься разработками и развивается.

Закончен монтаж чистой комнаты «ОЗОН-1» класса 10 на основе отечественных комплектующих.
Разработан опытный образец цветного 100 мм жидкокристаллического дисплея.
Разработана технология изготовления БиКМОП ИС.
Создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).

В этот период «Микрон» получил право самостоятельного выхода на зарубежные рынки.
Начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы «Самсунг».

13 января 1994г. Московская регистрационная палата зарегистрировала предприятие как акционерное общество открытого типа «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон».

1986 – 1990

Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556. Организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б (быстродействие 0,35 нс на вентиль, 1500 вентилей на кристалле) в качестве элементной базы отечественных супер-ЭВМ. Разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль. Освоены первые схемы семейства PAL и телевизионные ИС.

1978 – 1985

Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802, предназначенный для оборонной техники, в частности для комплексов ПВО.

В 1980г. заводом «Микроном» изготовлена 100-миллионная микросхема.

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12.04.1983г. НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

Осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения программы «Марс-Венера». Начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой. На предприятии создано производство на основе отечественных «чистых комнат».

1971 – 1975

В 1971 г. сданы под монтаж все четыре секции завода «Микрон» площадью свыше 60 тыс. кв. м. Микросхемы серии 155 впервые аттестованы на высшую категорию качества. «Знак качества» присвоен в 1972 г.

Организован промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС серий 100 и 500 с быстродействием 2 нс на вентиль, обеспечивших элементной базой:

  • сверхбольшую ЭВМ «Эльбрус-2»;
  • машины «Ряд», предназначенные для решения стратегических задач народного хозяйства, мировой экологии и обороны;
  • единую систему ЭВМ, используемую в народном хозяйстве стран СЭВ;
  • ЭВМ «Булат» (специальные машины оборонного назначения).

1966 – 1970
В 1966г. В реестре СССР зарегистрирована первая ИС на 2-х биполярных транзисторах. Организован опытный цех по выпуску микросхем.

Объем производства в 1966 г. составил 100 000 микросхем. 1 февраля 1967 г. Приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИМЭ организован завод по производству интегральных схем «Микрон».

Впервые в стране разработаны и созданы:
  • планарная технология арсенид-галлиевых микросхем;
  • пластмассовый корпус ИС и пресс-композиция;
  • кристаллы ИС эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ);
  • цифровые (транзисторно-транзисторной логики) и аналоговые ИС массового применения.

К 1970 г. изготовлено и поставлено различным отраслям более 3,5 млн. микросхем.
1965
25 января директором НИИМЭ назначен К.А. Валиев. На начало года в НИИМЭ работали 183 человека. Большинство сотрудников размещалось в общем зале завода «Элион». На площадях завода «Компонент» организована и запущена первая линейка по выпуску бескорпусного планарного биполярного n-p-n-транзистора. В конце года закончено строительство собственного здания НИИМЭ площадью 25 тыс. кв. м.
1964
В соответствии с Приказом Госкомитета СССР по электронной технике от 09.03.1964 № 50 организован Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ).
1962
Организован Научно-исследовательский институт точного машиностроения (ныне ОАО «НИИТМ»)
1959
Основан Воронежский завод полупроводниковых приборов (ныне «ВЗПП-Микрон»).

В конце 50-х – начале 60-х годов прошлого века зародилась и начала активно развиваться новая наука – микроэлектроника. Осознавая необходимость создания собственной микроэлектронной промышленности, Государственный комитет СССР по электронной технике принял решение об организации НИИ и заводов, на базе которых возникла отечественная микроэлектроника.